7月中旬，德国英飞凌（Infineon）公司宣布已与美国科瑞（Cree）公司签订最终协议，将以8.5亿美元收购Cree公司的碳化硅（SiC）衬底业务和旗下Wolfspeed公司。该交易需等待监管机构审批，预计今年年末完成。（本想等到最终审批通过再写，实在够重磅，还是现在就抛砖引玉吧）。

Wolfspeed是Cree公司功率和射频分部的名称，于2015年独立运营，拥有世界上最大的SiC和氮化镓（GaN）功率和射频器件生产能力，是经美国国防部认证的“可信供应商”之一，GaN器件的制造成熟度达到8级（MRL 8）。

Cree公司将Wolfspeed独立出来是希望进行IPO，该设想曾在当时引起巨大关注。Cree公司的利润主要来源于照明市场，想通过将Wolfspeed独立出来以专攻功率和射频市场，利用其具有优势的GaN和SiC产品充分抓住该领域的巨大市场机会。Cree原本计划保持对Wolfspeed的持股，并通过为其他企业提供GaN和SiC代工服务以及IP，来收回研发投入。2016年初，Cree宣布将Wolfspeed IPO推迟至下半年，没想等来了英飞凌公司的收购。

2014年9月，英飞凌收购了美国国际整流器（IR）公司，不仅在英飞凌现有功率器件产品线中增加了IR的硅基MOSFET、IGBT、功率模块和功率管理集成电路，还将英飞凌的硅基氮化镓产品市场拓展至IR的原有客户。收购IR后，英飞凌在功率半导体器件市场的霸主地位得到强有力的巩固。

整个功率器件市场年规模大约在200～300亿美元，硅基产品占据主要利润；GaN和SiC具有卓越的性能，但才开始占据市场。未来，随着对提升转换效率需求的增加，以及互连设备数量爆炸式的增长，GaN和SiC将迅速夺取硅基功率器件所持有的市场份额。

英飞凌收购了Wolfspeed，其产品线新增SiC技术，技术实力完整覆盖硅、GaN和SiC，意味着可以满足任何需求，从对成本最敏感的应用到需要最高性能的应用等。英飞凌将驱动功率器件市场从硅转向化合物半导体，以及开启新的应用领域，掌握化合物功率器件市场的绝对话语权。

GaN射频器件可提供更高的工作频率和更宽的带宽，受到射频市场的关注。在过去几年中，受中国LTE基站建设的带动，整个射频功率市场，尤其是GaN射频器件，利润呈现爆炸式增长。但中国LTE的部署预计将于今年年底结束，此后无线通信基础设施对射频功率市场仍将起到积极的推动作用，但增速可能放缓。

英飞凌收购了Wolfspeed，将扩展英飞凌的射频功率产品线，从收购之前的LDMOS产品为主、GaN射频器件为辅的局面变为具有卓越的GaN射频器件能力，如在收购前，英飞凌的产品手册上有96个LDMS功率器件和7个GaN器件。但利润增长率可能不及功率器件市场。Wolfspeed射频GaN利润主要来源于国防和无线通信基础设施。如要保证在国防领域的利润，英飞凌就必须保证减少美国国防部对器件使用安全的担心。而在无线通信基础设施领域，一方面整体发展态势可能走弱，另一方面，Wolfspeed所占份额也不如日本的住友（SEDI）。

毋庸置疑，收购Wolfspeed将进一步完善和完备英飞凌功率器件技术和产品，强化英飞凌在化合物半导体产业的领先地位和市场份额。英飞凌面临的挑战是如何从硅合理演进到化合物半导体，以保证其利润的最大化。

为了促进以GaN和SiC为代表的宽禁带半导体器件的发展，美国国防先期研究计划局（DARPA）于2002～2008年启动了“宽禁带半导体科技倡议（WBGSTI）”项目，Cree公司是重要的参研方之一。Cree在该项目的支持下取得了多项成果，也因此奠定了今日在SiC和GaN领域的地位。

    Cree是美国国防部认证的“可信供应商”之一，提供的可信制造能力包括0.4um、0.25um和140nm GaN工艺。不过这些工艺也可分别由BAE、M/A-COM、RF Micro和TriQuint等公司提供。所以，不会存在该企业一旦被收购，国防部在该器件领域的制造就得委托外国代工厂的问题。

（这个梗是IBM微电子业务被格罗方德收购后，美国国防部安全等级最高的先进集成电路的制造就得依靠所有权在阿布赞比的格罗方德，具体情况和国防部的对策请移步于此。）

4月13日：美国Wolfspeed的氮化镓射频器件满足NASA宇航标准

6月1日：欧盟启动功率器件智能制造项目，由德国英飞凌公司牵头

7月6日：MACOM说，射频和微波领域增速领跑军用电子市场，GaN和商业制造将发挥重要作用

7月7日：从2016国际微波研讨会看，GaN技术发展趋势和射频微波领域应用需求

7月8日：悠乐说，2015～2021年SiC市场产值2亿→5.5亿美元，复合年增长率达19%